教材：童詩(shī)白、華成英《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第五版） 高等教育出版社

視頻教材：

1.3 晶體三極管

1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型

①　晶體管分為NPN型和PNP型。

②　晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖。

1.3.2? 晶體管的電流放大作用

? ? ? ?使晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。

一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)

①　發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE。

②　擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成了基極電流IB。

③　集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC。

二、晶體管的電流分配關(guān)系：IE=IB+IC

三、晶體管的共射電流放大系數(shù)

共射直流放大系數(shù)β(_=Ic/IB，共射交流放大系數(shù)β=Ic/IB，晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，近似分析中可認(rèn)為二者相等。

共基直流放大系數(shù)α(_=Ic/IE，共基交流放大系數(shù)α=Ic/IE，近似分析中可認(rèn)為二者約等于1。

1.3.3 晶體管的共射特性曲線

一、輸入特性曲線如圖

二、輸出特性曲線

晶體管的三個(gè)工作區(qū)域：

①　截止區(qū)：發(fā)射結(jié)電壓小于開(kāi)啟電壓且集電結(jié)反向偏置，即Ube<=Uon且Uce>Ube，此時(shí)IB=0，ic約等于0。

②　放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置，即Ube>Uon且Uce>=Ube,此時(shí)β(_=Ic/IB，β=Ic/IB。應(yīng)保證晶體管工作在放大狀態(tài)。

③　飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置，即Ube>Uon且Uce<Ube。此時(shí)ic與ib和uce有關(guān)，ic小于βib。對(duì)于小功率管，可以認(rèn)為uce=ube，晶體管處于臨界飽和或臨界放大狀態(tài)。

1.3.5?溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響

一、溫度越高時(shí)，Icbo越大，Iceo也越高，反之減少。

二、溫度升高時(shí)，輸入特性曲線將左移，反之將右移（如圖）。

三、溫度升高時(shí)，輸出特性曲線將上移，反之將下移（如圖），溫度增加，β也會(huì)增加。

1.3.4?? 晶體管主要參數(shù)

極間反向電流：ICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電結(jié)的反向飽和電流。ICEO是基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的穿透電流。同一型號(hào)的管子反向電流越小性能越穩(wěn)定。

特征頻率fT：使β的數(shù)值下降到1的信號(hào)頻率稱為特征頻率。信號(hào)頻率達(dá)到一定程度時(shí)，集電極電流與基極電流之比不但下降，且發(fā)生相移。

最大集電極耗散功率Pcm：允許的最大功耗，超過(guò)則容易損壞晶體管PCM=ic*uce=常數(shù)，當(dāng)散熱條件不滿足時(shí)，允許的最大功耗將小于Pcm。

最大集電極電流Icm：ic的數(shù)值大到一定程度時(shí)β會(huì)下降，使其明顯減少的ic即為Icm。

極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開(kāi)路時(shí)，另外兩個(gè)電極允許加的最高反向電壓，超過(guò)此電壓會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象。