瑞禧小編下面分享了金屬氧化物/磷化銦/赫賽汀修飾載有量子點(diǎn)修飾四氧化三鐵Fe3O4-QDs的相關(guān)制備，一起來看！

赫賽汀修飾的載有量子點(diǎn)/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒的制備方法：

本發(fā)明提供的一種赫賽汀修飾的載有量子點(diǎn)/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒的制備方法是:首先制備多面體低聚倍半氧硅烷(POSS)共軛的量子點(diǎn),隨后用二氧化硅球包覆POSS共軛的量子點(diǎn),然后將Br-IO共軛到QD-SiNP的外層,最后將赫賽汀共軛到IO-QD-SiNP上,最終得到了赫賽汀修飾的載有量子點(diǎn)/四氧化三鐵的磁性熒光二氧化硅納米粒.該方法制備的復(fù)合納米粒具有熒光,磁性和靶向功能,有望用于體內(nèi)和體外生物成像方面更多的應(yīng)用.

硫醇類化合物界面修飾磷化銦量子點(diǎn)提高電致發(fā)光器件性能的方法:

在ITO基板上依次制備電子傳輸層,磷化銦量子點(diǎn)發(fā)光層,界面修飾層,空穴傳輸層,空穴注入層及金屬陽極;所述界面修飾層為硫醇類化合物界面修飾層;所述硫醇類化合物包括含有硫醇基團(tuán)的烷烴或芳香族化合物.本發(fā)明采用硫醇類化合物對磷化銦量子點(diǎn)發(fā)光層進(jìn)行界面修飾,鈍化其薄膜表面缺陷,增強(qiáng)其穩(wěn)定性,有利于提升磷化銦量子點(diǎn)器件的電流效率和亮度,推動磷化銦量子點(diǎn)器件在下一代顯示和照明領(lǐng)域的應(yīng)用.

相關(guān)內(nèi)容

RGD肽修飾包載超順磁性四氧化三鐵納米粒 RGD-Fe3O4

CRGD修飾超順磁性四氧化三鐵納米粒 CRGD-Fe3O4

iRGD肽修飾四氧化三鐵 iRGD-Fe3O4

TAT肽修飾四氧化三鐵 TAT-Fe3O4

CKAAKN多肽修飾四氧化三鐵 CKAAKN-Fe3O4

四氧化三鐵納米粒子改性DGEA多肽 Fe3O4-DGEA

T7肽修飾四氧化三鐵 T7-Fe3O4

奧曲肽修飾四氧化三鐵 Oct-Fe3O4

TOC多肽修飾四氧化三鐵 TOC-Fe3O4

TRP多肽修飾四氧化三鐵 TRP-Fe3O4

Fe3O4修飾奧曲肽

穿膜肽修飾Fe3O4/金殼納米復(fù)合物

四氧化三鐵修飾硒化鎘量子點(diǎn) Fe3O4-CdSe

四氧化三鐵修飾硫化鋅量子點(diǎn) Fe3O4-ZnS

石墨烯量子點(diǎn)包裹磁性納米顆粒 Fe3O4-GQDs

四氧化三鐵修飾黑磷量子點(diǎn) Fe3O4-BPQDs ?

四氧化三鐵修飾鈣鈦礦量子點(diǎn) Fe3O4-CsPbBr3

四氧化三鐵修飾二硫化鎢量子點(diǎn) Fe3O4-WS2 QDs ?

四氧化三鐵修飾碳化硅量子點(diǎn) Fe3O4-SiC

四氧化三鐵修飾三元量子點(diǎn) Fe3O4-CdSeTe

四氧化三鐵修飾親水性量子點(diǎn) Fe3O4-CZTS

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