射頻芯片的主要測試指標(biāo)包括駐波、插入損失、中心頻率、帶寬、帶內(nèi)波動、帶外抑制、群延遲等。

測試的難點是：

1）測試裝置越來越小，測試頻率越來越高，許多裝置尺寸小于1mm，測試頻率大于40GHZ；

2）測量精度要求高，板卡研發(fā)難度大。

S11是指回波損耗，即反射回源端（Port1）的能量。值越小越好。一般建議S110.1，即120db。S21表示插入損耗或正傳輸系數(shù)，即有多少能量傳輸?shù)侥康亩耍≒ort2）。值越大越好。理想值為1，即0db。S11越大，信號傳輸損耗越低，傳輸效率越高。

隨著通信技術(shù)的變化和新應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)，射頻前端芯片的復(fù)雜性不斷提高。目前，隨著5g和WIFI6高速通信標(biāo)準(zhǔn)的升級，新的射頻芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、通信基站等通信平臺。目前，射頻芯片測試對射頻測試座的需求越來越高，主要是因為在極端環(huán)境下，芯片將采用老化測試、功能測試和特殊測試，這也對射頻芯片測試座提出了更高的測試要求。

深圳市欣同達(dá)科技有限公司成立于2016年,是集研發(fā).生產(chǎn).銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。專注研發(fā)生產(chǎn):芯片測試座,老化座,ATE測試座,燒錄座,客制化Socket,開爾文測試座,ic測試架。適用于：BGA.QNF.DFN.QFP.SOP.LGA.等封裝測試插座 。