ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基準電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術(shù)和外加離子注入場效應(yīng)管(XFET)技術(shù)，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至低點。

與嵌入式齊納基準電壓源相比，XFET基準電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出高達30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍。

應(yīng)用

• 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

• 高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

• 醫(yī)療儀器

• 工業(yè)過程控制系統(tǒng)

• 光學(xué)控制電路

• 精密儀器

• 低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 μV p-p（2.5 V輸出）

• 無需外部電容

• 低溫度系數(shù)

• A級：10 ppm/°C（最大值）

• B級：3 ppm/°C（最大值）

• 負載調(diào)整率：15 ppm/mA

• 電壓調(diào)整率：20 ppm/V

• 寬工作溫度范圍：4.5 V至18 V

AD584

AD584S

REF05S

REF10S

REF02S

REF01S

MAX6033B-2.5

MAX6033B-3

MAX6033B-4.1

MAX6033B-5

MAX6033C-2.5

MAX6033C-3

MAX6033C-4.1

MAX6033C-5

MAX6043

MAX6070A-1.2

MAX6070A-1.8

MAX6070A-2.1

MAX6070A-2.5

MAX6070A-3