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NPT2024 第 4 代硅基氮化鎵 (GaN on Si) 晶體管

2023-03-28 12:02 作者:聚成恒信  | 我要投稿

NPT2024

NPT2024 是一種寬帶晶體管,工作頻率范圍為 DC 至 2.7 GHz。它是第一款基于 MACOM 第 4 代硅基氮化鎵 (GaN on Si) 工藝開發(fā)的晶體管。該工藝提供的性能可與昂貴的碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 相媲美,其預計批量生產成本結構低于現(xiàn)有 LDMOS 技術。NPT2024 支持 CW、脈沖和線性操作,輸出功率水平高達 200 W (53 dBm)。該器件采用 50 V 工作電壓,在 1.5 GHz 時提供 16 dB 增益的 CW 工作,以及 60% 的漏極效率。這種 GaN on Si HEMT D-Mode 晶體管非常適合國防通信、陸地移動無線電、航空電子設備、無線基礎設施、ISM 應用和 VHF/UHF/L/S 波段雷達。


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產品規(guī)格

產品詳情

  • 零件號

    NPT2024

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  • 制造商

    馬康

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  • 描述

    直流至 2.7 GHz GaN on Si 寬帶晶體管

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一般參數(shù)

  • 晶體管類型

    HEMT

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  • 技術

    硅基氮化鎵、氮化鎵

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  • 應用行業(yè)

    ISM、無線基礎設施、航空航天與國防、雷達

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  • 應用

    移動無線電、國防、通信、航空電子設備、WiMAX、WCDMA、LTE

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  • 連續(xù)波/脈沖

    脈沖,連續(xù)波

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  • 頻率

    20 MHz 至 3 GHz

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  • 力量

    47.24 分貝

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  • 功率(W)

    52.97 瓦

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  • 獲得

    16分貝

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  • 電源電壓

    50 伏

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  • 包裝類型

    法蘭

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  • 包裹

    TO272

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  • RoHS

    是的



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