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模電·第一章·常用半導(dǎo)體器件(1)

2023-03-01 07:37 作者:KLEE-不知道哦  | 我要投稿

觀前提示:自己歸納的,順帶發(fā)發(fā)b站,THU的第五版結(jié)合老師上課筆記,跟隨課堂持續(xù)更新專欄到同一文集內(nèi),偏向于知識(shí)點(diǎn)整理,部分知識(shí)點(diǎn)不屑于寫,面向有一定基礎(chǔ)(好歹有聽課?)

觀看者請(qǐng)備好書籍配合食用?

如有錯(cuò)誤,請(qǐng)務(wù)必點(diǎn)出,萬(wàn)一哥們期末考試考到呢(哭)

1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

1.1.1半導(dǎo)體和材料基礎(chǔ)知識(shí)

a.區(qū)分導(dǎo)體、半導(dǎo)體(Si,Ge)、絕緣體

b.本征半導(dǎo)體

????b1 純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體,導(dǎo)電性能弱,受溫度影響大

????b2 載流子是自由電子與空穴,溫度升高,載流子濃度升高,導(dǎo)電性能增強(qiáng)

????b3 涉及簡(jiǎn)單概念:復(fù)合(自由電子和空穴結(jié)合),本征激發(fā)(躍遷),動(dòng)態(tài)平衡

c.雜質(zhì)半導(dǎo)體

????c1 依靠摻雜,本身不帶電,動(dòng)態(tài)平衡,注意導(dǎo)電性能的可控性(摻雜的雜質(zhì)濃度),雜質(zhì)濃度越高,少子濃度越低

????c2?N型半導(dǎo)體 摻入5價(jià)元素 多子為自由電子,少子為空穴

????c3?P型半導(dǎo)體 摻入3價(jià)元素 多子為空穴,少子為自由電子

????c4?注意,多子濃度可近似等于摻雜濃度,受溫度影響較?。簧僮訚舛扔砂雽?dǎo)體材料的本征激發(fā)而來(lái),受溫度影響較大

?(小聲bb:記清楚來(lái),經(jīng)常弄混)

1.1.2PN結(jié)(重中之重,必須理解透徹)

????a.PN結(jié)的形成:

? ? 首先了解擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)(與濃度差有關(guān))和漂移運(yùn)動(dòng)(與電場(chǎng)力有關(guān))

????本人概括過(guò)程為:多子相互擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)-自由電子與空穴復(fù)合-交界面附近多子濃度下降-形成空間電荷區(qū)(又稱耗盡層)和內(nèi)電場(chǎng)-少子相互漂移運(yùn)動(dòng)-動(dòng)態(tài)平衡形成PN結(jié)(區(qū)分對(duì)稱結(jié)和不對(duì)稱結(jié))內(nèi)部電流為0

????想看詳細(xì)的,個(gè)人建議自己翻書,因?yàn)槲覒械么a字捏(笑)


????b.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/strong>

????正向(正偏)導(dǎo)通,載流子被推向空間電荷區(qū),空間電荷區(qū)變窄,內(nèi)電場(chǎng)削弱,破壞原平衡,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱,

????回路串聯(lián)電阻限流,防止PN結(jié)損壞。

????反向(反偏)截止,加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng),阻礙擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),加強(qiáng)漂移運(yùn)動(dòng),反向電壓過(guò)大則會(huì)擊穿

????擊穿:

????齊納擊穿(≤4V)高摻雜,耗盡層寬度窄,不大的反向電壓形成強(qiáng)電場(chǎng),直接破壞共價(jià)鍵,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),電流增大

????雪崩擊穿(≥7V)低摻雜,耗盡層寬度寬,加速少子的漂移運(yùn)動(dòng),碰撞共價(jià)鍵,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),并又被加速碰撞其他的共價(jià)鍵,雪崩式增大電流

????c.?PN結(jié)的電流方程

????i%3DI_%7Bs%7D%20(e%5E%5Cfrac%7Bu%7D%7BU_%7BT%7D%20%7D%20%20-1)

????常溫下即T=300K時(shí),溫度的電壓當(dāng)量UT≈26mV

????d?PN結(jié)的電容效應(yīng)

????勢(shì)壘電容Cb:當(dāng)PN結(jié)外加的反向電壓變化時(shí),空間電荷區(qū)的寬度隨之變化導(dǎo)致

????擴(kuò)散電容Cd:外加正向電壓變化時(shí),非平衡少子濃度變化導(dǎo)致

????結(jié)電容Cj=Cb+Cd

????電容受信號(hào)頻率影響極大,頻率高時(shí)考慮電容的作用

1.2 半導(dǎo)體二極管

1.2.1 半導(dǎo)體二極管的幾種常見結(jié)構(gòu)(了解)

????點(diǎn)接觸:結(jié)面積小,不能通過(guò)大電流,用于高頻率電路和小功率整流

????面接觸:結(jié)面積大,結(jié)電容大,低頻率使用,可用作整流管

????平面接觸:可以控制結(jié)面積大小,大小各有用處

1.2.2 二極管的伏安特性以及主要參數(shù)

噢,結(jié)合圖片來(lái)看,這張圖要牢記

????牢記上圖

????a. 溫度升高時(shí),二極管的正向特性曲線將左移,反向特性曲線將下降,對(duì)溫度敏感

????b. 最大整流(平均)電流?I_%7BF%7D%20是二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流,防止結(jié)溫過(guò)高而燒壞

????c. 最高反向工作電壓U_%7BR%7D%20%3D%5Cfrac%7B1%7D%7B2%7DU_%7BBR%7D%20%20

????d. 最高工作頻率f_%7BM%7D%20是上限截止頻率,與結(jié)電容等有關(guān),過(guò)大則影響單向?qū)щ娦?/p>

????e. 反向電流I_%7BR%7D%20與反向飽和電流I_%7Bs%7D%20受溫度影響大

1.2.3 二極管的等效電路

????a. 折線化

????公式編輯太慢了,上圖方便點(diǎn),書本P18

????第一種是二極管導(dǎo)通正向壓降為0,截止時(shí)反向電流為0,稱為理想二極管,相當(dāng)于一個(gè)理想開關(guān)

????第二種是二極管導(dǎo)通正向壓降為常量Uon,截止時(shí)反向電流為0,相當(dāng)于理想二極管串聯(lián)一個(gè)電壓源

????第三種是電壓>Uon后,由于隨著u的增大,電流I與U成線性關(guān)系,直線斜率為1/rD,二極管截止時(shí)反向電流為0,相當(dāng)于理想二極管串聯(lián)一個(gè)電壓源和一個(gè)電阻

?????b.交直流并存,分析其正弦信號(hào),微變等效電路

1.2.4 穩(wěn)壓二極管

????a. 伏安特性正向與普通二極管類似,但是反向的飽和電流更小,小到可以忽略不計(jì)

????b. 穩(wěn)定電壓?U_%7BZ%7D%20是在規(guī)定電流下穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓

????c. 穩(wěn)定電流?I_%7BZmin%7D%20,穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓狀態(tài)的值,電流低于其時(shí)穩(wěn)壓效果差

????d. 動(dòng)態(tài)電阻?r_%7BZ%7D%20%3D%5Cfrac%7B%5CDelta%20U_%7BZ%7D%20%7D%7B%5CDelta%20I_%7BZ%7D%20%7D%20 是衡量一個(gè)穩(wěn)壓管的重要指標(biāo),動(dòng)態(tài)電阻越小說(shuō)明穩(wěn)壓特性越好,同一個(gè)管子,電流越大則動(dòng)態(tài)電阻越小

????e. 溫度系數(shù)%5Calpha或者叫%20%5Calpha%20_%7BZ%7D%20%3D%5Cfrac%7B%5CDelta%20U%20_%7BZ%7D%20%7D%7B%5CDelta%20T%7D%20?

????????穩(wěn)定電壓<4V時(shí),溫度系數(shù)<0

????????穩(wěn)定電壓4~7V時(shí),溫度系數(shù)≈0

????????穩(wěn)定電壓>7V時(shí),溫度系數(shù)>0

????f. 額定功耗P_%7BZM%7D%3DU_%7BZ%7D%20%5Ctimes%20I_%7BZM%7D%20%20 注意防止結(jié)溫過(guò)高燒毀


作者的話:沒想到這么花時(shí)間,以后筆記掃描上傳加上文字說(shuō)明得了,太花我時(shí)間了,第一章分兩個(gè)部分,下次有空再寫

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