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MP40N120-ASEMI高頻變換器IGBT

2022-04-16 13:43 作者:木子源野  | 我要投稿

編輯:ll

MP40N120-ASEMI高頻變換器IGBT

型號(hào):MP40N120

品牌:ASEMI

封裝:TO-247

電流:40A

電壓:1200V

正向電壓:1.10V

恢復(fù)時(shí)間:

引腳數(shù)量:3

芯片個(gè)數(shù):

芯片尺寸:

漏電流:

特性:IGBT管

工作溫度:-55~+150℃

MP40N120溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT

IGBT定義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

ASEMI全系列封裝圖


MP40N120-ASEMI高頻變換器IGBT的評(píng)論 (共 條)

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