5SHY4045L0001可控硅IGCT板卡5SHX2645L0002當(dāng)IGCT工作在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，是一個(gè)像晶閘管一樣的正反饋開關(guān)，其特點(diǎn)是攜帶電流能力強(qiáng)和通態(tài)壓降低。在關(guān)斷狀態(tài)下，IGCT門--陰極間的pn結(jié)提前進(jìn)入反向偏置，并有效地退出工作，整個(gè)器件呈晶體管方式工作，該器件在這兩種狀態(tài)下的等效電路圖，所示 IGCT關(guān)斷時(shí)，通過打開一個(gè)與陰極串聯(lián)的開關(guān)(通常是MOSFET)，使P基極n發(fā)射極反偏，從而迅速阻止陰極注入，將整體的陽極電流強(qiáng)制轉(zhuǎn)化成門極電流(通常在lμs內(nèi))，這樣便把GTO轉(zhuǎn)化成為一個(gè)無接觸基區(qū)的PNP晶體管，消除了陰極發(fā)射極子收縮效應(yīng)。這樣，它的最大關(guān)斷電流比傳統(tǒng)GTO的額定電流高出許多。5SHY4045L0001可控硅IGCT板卡5SHX2645L0002由于IGCT在增益接近1時(shí)關(guān)斷，因此，保護(hù)性的吸收電路可以省去。 由于IGCT內(nèi)部是在基極開路的狀態(tài)下以晶體管模式對(duì)陽極電流進(jìn)行關(guān)斷，可以避免出現(xiàn)所謂的“GTO”狀態(tài)，關(guān)斷過程中允許更高的陽極電壓上升率，而且關(guān)斷動(dòng)作非常可靠因此IGCT兼有晶閘管的低通態(tài)壓降和高阻斷電壓，以及晶體管穩(wěn)定的關(guān)斷特性，是一種比較理想的大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件。由于門極驅(qū)動(dòng)電路必須在關(guān)斷過程中迅速轉(zhuǎn)移所有的陽電流。因此，IGCT設(shè)計(jì)必須采用電感相當(dāng)?shù)偷拈T極驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)際中可根據(jù)器件要求采用多層布線印刷線路板。