氮化硼可以應(yīng)用制備半導(dǎo)體元器件上面，最早是日本科學(xué)技術(shù)廳無機(jī)材料研究所利用生長大的單晶體立方氮化硼(c-BN)的最新技術(shù)成果,成功地制造了世界上第一個(gè)能在650℃溫度下穩(wěn)定工作的p-n結(jié)型二極管。

在此之前普遍用的是硅半導(dǎo)體目前廣泛用作電子器件材料,但在200℃以上時(shí)失效。因此試圖研究一種可用于極高溫度環(huán)境,如外層空間和核反應(yīng)堆的新型高溫半導(dǎo)體材料。在這方面,剛度和可熔性等于金剛石的材料是值得考慮的。金剛石的基礎(chǔ)材料是石墨，石墨的導(dǎo)熱性能好，同時(shí)，與石墨性質(zhì)相同，被稱為白石墨的氮化硼列入研究員的視野。經(jīng)過一系列研發(fā)，最終成品以氮化硼材料制成了高溫半導(dǎo)體p-n結(jié)器件.它在650℃下,仍能正常工作,比目前廣泛應(yīng)用的硅器件,在使用溫度方面,一下提高了3倍多.可以想象,這種材料將給半導(dǎo)體工業(yè)帶來廣闊的前景,是一個(gè)重大的突破.這也將促使開發(fā)氮化硼衍的生品六方氮化硼等系新材料更多的用途。